工作职责 :
1、下一代宽禁带(氮化镓、碳化硅)与超宽禁带(氮化铝、氧化镓)等半导体材料的生长和表征,相关电学与光电器件的设计、工艺与测试,以及半导体材料与器件的应用;
2、实验室设备规划、建设、管理;
3、关注跟踪、收集分析国内外同类产品开发的技术信息、发展方向,技术路线等;
4、完成领导安排的其他工作。
任职要求 :
1、博士研究生学历,有海外经历优先;优秀人员可适当放宽。
2、熟悉半导体材料制备工艺,能够独立完成半导体材料制备和表征;
3、具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力。
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